8GB DDR4-3200 PC4-25600 Samsung, CL22, 1.2V (M378A1G44AB0-CWE)
- Форм-фактор: DIMM
- Тип: DDR4
- Объем одного модуля: 8 ГБ
- Количество модулей в комплекте: 1 шт.
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Пропускная способность: 25600 Мб/с
- CAS Latency (CL): 19
- RAS to CAS Delay (tRCD): 19
- Напряжение питания: 1.2 В
Характеристики:
- ТипDDR4
- ПроизводительSamsung
- Форм-факторDIMM
- Тактовая частота3200 МГц
- Пропускная способность25600 Мб/с
- Объем одного модуля8 ГБ
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Количество чипов каждого модуля4
- Упаковка чиповодносторонняя
- CAS Latency (CL)19
- RAS to CAS Delay (tRCD)19
- Row Precharge Delay (tRP)19
- Количество рангов1
- Напряжение питания1.2 В
- Количество контактов288
- ОсобенностиUnregistered, игровая, NON-ECC
- Дополнительная информацияОперативная память;документация
- Цветзеленый
Представленный товар и цены носят информационный характер и не являются публичной офертой.
Вся информация о товаре предоставлена производителем товара, магазин не несет ответственности за несоответствия в описании. Нашли ошибку? — сообщите нам о ней.