8GB DDR4-3200 PC4-25600 Samsung original, CL21 (M378A1K43EB2-CWE)
- Форм-фактор: DIMM
- Тип: DDR4
- Объем одного модуля: 8 Гб
- Количество модулей в комплекте: 1 шт.
- Тактовая частота: 3200 МГц
- Пропускная способность: 25600 МБ/с
- CAS Latency (CL): 21
- Напряжение питания: 1.2 В
Характеристики:
- ТипDDR4
- ПроизводительSamsung
- Форм-факторDIMM
- Тактовая частота3200 МГц
- Пропускная способность25600 МБ/с
- Объем одного модуля8 Гб
- Количество модулей в комплекте1 шт.
- Буферизованная (Registered)нет
- Низкопрофильная (Low Profile)нет
- CAS Latency (CL)21
- Напряжение питания1.2 В
- Количество контактов288
Представленный товар и цены носят информационный характер и не являются публичной офертой.
Вся информация о товаре предоставлена производителем товара, магазин не несет ответственности за несоответствия в описании. Нашли ошибку? — сообщите нам о ней.